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华为瞄准第三代半导体材料 这些上市公司已率先布局

【环球网报道 记者 崔天也】昨夜,在香港深水埗、黄大仙两地,各有200多名示威者在警署外挑衅警察,照射激光,在墙壁上乱涂乱画,甚至一度堵路影响交通。警方随后派出数百名防暴警察驱散人群,并逮捕两名用激光照射警署的示威者。期间,还有两名示威者在逃跑过程中因为去留问题起“内讧”,大打出手,最终被周围人劝开。

华为通过哈勃投资入股山东天岳,或许表明其对于第三代半导体材料前景的认可。资料显示,哈勃科技投资有限公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。

自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。

23时左右,数百名防暴警察和速龙小队一同出动清场,以前后夹击的方式将示威者驱散,并逮捕两名用激光照射警署的示威者。其余示威者则分别逃向基隆街、汝州街及鸭寮街方向,期间还有一名示威者在钦州街叫同伴撤离,两人却而产生“内讧”发生争吵甚至大打出手,最终被旁边人劝住后各自离去,其他示威者也陆续散去。

香港示威者昨晚挑衅警方2人被捕,有人喊同伴撤离却起“内讧”

警方带走两名女子进行调查。图源:《星岛日报》

黄大仙警署附近警方做好防御准备,还有警犬“助阵”。图源:《星岛日报》27日0时左右,黄大仙一带警方展开清场行动,并在沙田的一行人天桥上截住20余人进行调查,另有2名女子因涉嫌未能出示身份证及拥有他人身份证而被带走调查。警方最终于凌晨1时许撤离,示威者也陆续散去。

警方在深水埗附近逮捕一名女子。图源:香港“东网”报道还称,除了深水埗外,昨晚22时许还有大约200名示威者包围了黄大仙中心南馆的管理处,宣称要该中心对此前“允许警员进入商场拘捕示威者”一事进行说明。当时,有示威者情绪激动,拍打管理处设施,还有人在墙上贴纸条。

碳化硅电力电子器件市场在2016年正式形成,根据Yole预测,碳化硅市场规模在2021年将上涨到5.5亿美元,年复合增长率可达到19%。由于我国具有广阔的应用市场,届时国产功率半导体市场也将实现大规模的增长。

香港《星岛日报》27日报道称,昨晚21时许,有数十人在钦州街深水埗警署对面及天桥上聚集。当时,一些人高喊口号,对此前被捕的极端示威者进行声援,还有人用激光照射警署墙壁及防护板等。当时,警方仅在警署内部设防戒备。

第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

我国政府主管部门高度重视第三代半导体材料及相关技术的研究与开发。从2004年开始对第三代半导体技术领域的研究进行了部署,启动了一系列重大研究项目。2013年科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中,明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015年和2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。

第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

《星岛日报》称,包围黄大仙中心的示威者随后又转而前往黄大仙警署附近聚集,但警方早已做好防御准备,多辆警车部署戒备,还有警犬“助阵”。

在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

《星岛日报》报道截图报道称,随后,在警署外聚集的人越来越多,最多时达到200余人。期间,有人搬来铁栏杆等杂物堵路,一些黑衣人甚至跑到警署附近,在警署外墙上喷黑漆。

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